（一）項目概況

建設項目名稱：甘肅金川蘭新半導體封裝新材料（蘭州）生產線建設項目（一期）

建設地點：位于甘肅省蘭州新區(qū)中川街以南，洮河街以北，鳳凰山路以東，青城山路以西。

工程建設內容及規(guī)模：本項目一期工程建設內容為分立器件引線框架沖制型230萬K/年、IC引線框架沖制型1296萬K/年、IC引線框架蝕刻型660萬K/年、5G散熱片2000萬片/年、錫陽極材料1000噸/年。

（二）建設單位的名稱和聯(lián)系方式

建設單位：甘肅金川蘭新電子科技有限公司

地址：甘肅省蘭州新區(qū)中川街以南，洮河街以北，鳳凰山路以東，青城山路以西

聯(lián)系人：孫天祥

聯(lián)系電話：18993513376                

E-mail：stx0932@163.com

（三）環(huán)境影響報告書編制單位名稱和聯(lián)系方式

環(huán)評單位：甘肅創(chuàng)新環(huán)境科技有限責任公司

地址：甘肅省蘭州市城關區(qū)高新S625號路以南5號13號樓20層02、03室

聯(lián)系人：仲工            

傳真：0931-4619784

聯(lián)系電話：13369435824      

E-mail：332065644@qq.com

（四）公眾意見表的網絡鏈接

公眾意見表的網絡鏈接為：

http://www.mee.gov.cn/xxgk2018/xxgk/xxgk01/201810/t20181024_665329.html。

（五）提交公眾意見表的方式和途徑

本信息發(fā)布之后公眾可通過信函、傳真、電子郵件、或者建設單位提供的其他方式，在規(guī)定時間內將填寫的公眾意見表等提交建設單位，反映與建設項目環(huán)境影響有關的意見和建議。

                                                                                         甘肅金川蘭新電子科技有限公司

                                                                                                    2022年7月29日